Αρχική
Προϊόντα
Κατασκευαστές
Σχετικά με DiGi
Επικοινωνήστε μαζί μας
Τα Blogs & Αναρτήσεις
Αίτηση προσφοράς/Προσφορά
Greek
Σύνδεση
Επιλογή Γλώσσας
Τρέχουσα γλώσσα της επιλογής σας:
Greek
Διακόπτης:
Αγγλικά
Ευρώπη
Ηνωμένο Βασίλειο
Γαλλία
Ισπανία
Τουρκία
Μολδαβία
Λιθουανία
Νορβηγία
Γερμανία
Πορτογαλία
Σλοβακία
Ιταλία
Φινλανδία
Ρωσικά
Βουλγαρία
Δανία
Εσθονία
Πολωνία
Ουκρανία
Σλοβενία
Τσεχικά
Ελληνικά
Κροατία
Ισραήλ
Σερβία
Λευκορωσία
Ολλανδία
Σουηδία
Μαυροβούνιο
Βασκικά
Ισλανδία
Βοσνία
Ουγγρικά
Ρουμανία
Αυστρία
Βέλγιο
Ιρλανδία
Ασία / Ειρηνικός
Κίνα
Βιετνάμ
Ινδονησία
Ταϊλάνδη
Λάος
Φιλιππινικά
Μαλαισία
Κορέα
Ιαπωνία
Χονγκ Κονγκ
Ταϊβάν
Σιγκαπούρη
Πακιστάν
Σαουδική Αραβία
Κατάρ
Κουβέιτ
Καμπότζη
Μυανμάρ
Αφρική, Ινδία και Μέση Ανατολή
Ηνωμένα Αραβικά Εμιράτα
Τατζικιστάν
Μαδαγασκάρη
Ινδία
Ιράν
ΛΔ Κονγκό
Νότια Αφρική
Αίγυπτος
Κένυα
Τανζανία
Γκάνα
Σενεγάλη
Μαρόκο
Τυνησία
Νότια Αμερική / Ωκεανία
Νέα Ζηλανδία
Αγκόλα
Βραζιλία
Μοζαμβίκη
Περού
Κολομβία
Χιλή
Βενεζουέλα
Ισημερινός
Βολιβία
Ουρουγουάη
Αργεντινή
Παραγουάη
Αυστραλία
Βόρεια Αμερική
Ηνωμένες Πολιτείες
Αϊτή
Καναδάς
Κόστα Ρίκα
Μεξικό
Σχετικά με DiGi
Σχετικά με εμάς
Σχετικά με εμάς
Οι Πιστοποιήσεις μας
DiGi Εισαγωγή
Γιατί DiGi
Πολιτική
Πολιτική Ποιότητας
Όροι χρήσης
Συμμόρφωση RoHS
Διαδικασία Επιστροφής
Πόροι
Κατηγορίες προϊόντων
Κατασκευαστές
Τα Blogs & Αναρτήσεις
Υπηρεσίες
Εγγύηση Ποιότητας
Τρόπος Πληρωμής
Παγκόσμια Αποστολή
Τιμές Αποστολής
Συχνές Ερωτήσεις
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IRF840A
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IRF840A-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 500 V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Αποθέμα:
RFQ Online
12909352
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
*
Εταιρεία
*
Όνομα Επαφής
*
Τηλέφωνο
*
Ηλεκτρονικό ταχυδρομείο
Διεύθυνση Παράδοσης
Μήνυμα
(
*
) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IRF840A Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
500 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
850mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1018 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
125W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IRF840
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
IRF840A
HTML Δελτίο δεδομένων
IRF840A-DG
Φύλλα δεδομένων
IRF840APBF
Packaging Information
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
*IRF840A
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF840APBF-BE3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1425
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF840APBF-BE3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.73
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STP9NK50Z
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
477
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STP9NK50Z-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.05
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STP8NM50N
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
996
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STP8NM50N-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.88
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF840APBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
9022
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF840APBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.74
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Direct
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
AOT8N50
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
3679
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
AOT8N50-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.41
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRFR9020TRR
MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
IXTA10P50P
MOSFET P-CH 500V 10A TO263
IRFD224PBF
MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
IRF3205ZSTRL
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK