Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IRF710
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IRF710-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 400 V 2A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220AB
Αποθέμα:
12952324
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IRF710 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
400 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
170 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
36W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IRF710
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
*IRF710
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF710PBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
6746
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF710PBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.37
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Direct
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMN6013LFGQ-13
MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
SIB414DK-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6
SUP60N06-12P-E3
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
