IRF624STRR

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IRF624STRR

Product Overview

Κατασκευαστής:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IRF624STRR-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK

Λεπτομερής Περιγραφή:

N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Αποθέμα:

RFQ Online

12867583

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

vX6g

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IRF624STRR Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

Vishay

Συσκευασία

-

Σειρά

-

Κατάσταση προϊόντος

Active

Τύπος FET

N-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

250 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

4.4A (Tc)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 2.6A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

4V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

14 nC @ 10 V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

260 pF @ 25 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

3.1W (Ta), 50W (Tc)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

TO-263 (D2PAK)

Συσκευασία / Θήκη

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Βασικός αριθμός προϊόντος

IRF624

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

800

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

RoHS non-compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

vishay-siliconix

IRFI620

MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220-3

vishay-siliconix

IRF740

MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB

vishay-siliconix

IRF644NLPBF

MOSFET N-CH 250V 14A I2PAK

vishay-siliconix

IRFR024PBF

MOSFET N-CH 60V 14A DPAK