IRCZ24PBF
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IRCZ24PBF

Product Overview

Κατασκευαστής:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IRCZ24PBF-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 55V 17A TO220-5
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 55 V 17A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220-5

Αποθέμα:

12908804
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IRCZ24PBF Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
-
Σειρά
HEXFET®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
55 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
17A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
100mOhm @ 10A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
720 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
Current Sensing
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
60W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220-5
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-5
Βασικός αριθμός προϊόντος
IRCZ24

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
*IRCZ24PBF

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay-siliconix

IRFIBG20G

MOSFET N-CH 1000V TO220-3

vishay-siliconix

IRFSL9N60APBF

MOSFET N-CH 600V 9.2A I2PAK

vishay-siliconix

IRFI710G

MOSFET N-CH 400V 1.6A TO220-3

vishay-siliconix

IRFR430ATRRPBF

MOSFET N-CH 500V 5A DPAK