Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
3N164
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
3N164-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 30V 50MA TO72
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 30 V 50mA (Ta) 375mW (Ta) Through Hole TO-72
Αποθέμα:
12909326
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
3N164 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
50mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
300Ohm @ 100µA, 20V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 10µA
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3.5 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
375mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-72
Συσκευασία / Θήκη
TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Βασικός αριθμός προϊόντος
-
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
200
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BS250P
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BS250P-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.30
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXTA70N085T
MOSFET N-CH 85V 70A TO263
IXTA3N100D2
MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
IRF740ASTRL
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
