2N6660-E3
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

2N6660-E3

Product Overview

Κατασκευαστής:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

2N6660-E3-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 990mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-205AD (TO-39)

Αποθέμα:

12910499
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

2N6660-E3 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
990mA (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 1mA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
50 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-205AD (TO-39)
Συσκευασία / Θήκη
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Βασικός αριθμός προϊόντος
2N6660

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
100

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay-siliconix

IRFP350LCPBF

MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3

vishay-siliconix

IRFPE30PBF

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3

vishay-siliconix

IRL520PBF

MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB

vishay-siliconix

IRF820ASPBF

MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK