1N5627-TAP
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

1N5627-TAP

Product Overview

Κατασκευαστής:

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

1N5627-TAP-DG

Περιγραφή:

DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64
Λεπτομερής Περιγραφή:
Diode 800 V 3A Through Hole SOD-64

Αποθέμα:

6231 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12904952
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

1N5627-TAP Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
Αντιστοιχιστές, Μοναδικές Δίοδοι
Κατασκευαστής
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Συσκευασία
Tape & Box (TB)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
Avalanche
Τάση - DC Reverse (Vr) (Μέγ.)
800 V
Ρεύμα - Μέσος όρος διορθωμένο (Io)
3A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν
1 V @ 3 A
Ταχύτητα
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Αντίστροφος χρόνος αποκατάστασης (trr)
7.5 µs
Ρεύμα - Αντίστροφη διαρροή @ Vr
1 µA @ 200 V
Χωρητικότητα @ Vr, F
60pF @ 4V, 1MHz
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Συσκευασία / Θήκη
SOD-64, Axial
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOD-64
Θερμοκρασία Λειτουργίας - Διασταύρωση
-55°C ~ 175°C
Βασικός αριθμός προϊόντος
1N5627

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
1N5627-TAP-DG
1N5627-TAPGICT
1N5627-TAPGITB

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

UF5A600D1-13

DIODE GEN PURP 600V 5A TO252-3

taiwan-semiconductor

ES1AL RUG

DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

diodes

SR504-T

DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO201AD

diodes

SF30BG-B

DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD