50N06
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

50N06

Product Overview

Κατασκευαστής:

UMW

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

50N06-DG

Περιγραφή:

TO-252 MOSFETS ROHS
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 105W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Αποθέμα:

2114 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12988849
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

50N06 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
UMW
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
UMW
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
50A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
17mOhm @ 30A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2928 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
105W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252 (DPAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
4518-50N06DKR
UMW 50N06
4518-50N06CT
4518-50N06TR
4518-UMW50N06TR-DG
4518-UMW50N06TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
toshiba-semiconductor-and-storage

TPCP8011,LF

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-

infineon-technologies

IMT65R163M1HXUMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

micro-commercial-components

MC3541A-TP

N-CHANNEL MOSFET,SOT-723

global-power-technologies-group

GP2T040A120H

SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-4L