Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
UJ4C075060B7S
Product Overview
Κατασκευαστής:
Qorvo
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
UJ4C075060B7S-DG
Περιγραφή:
750V/60MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 750 V 25.8A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Αποθέμα:
1313 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12990293
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
UJ4C075060B7S Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Qorvo
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
750 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
25.8A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
74mOhm @ 20A, 12V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
6V @ 10mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
37.8 nC @ 15 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1420 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
128W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
D2PAK-7
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Βασικός αριθμός προϊόντος
UJ4C075
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
2312-UJ4C075060B7SDKR
2312-UJ4C075060B7SCT
2312-UJ4C075060B7STR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IAUS260N10S5N019TATMA1
MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
NTMT090N65S3HF
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
S2M0080120D
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
