Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
UF3C120150K4S
Product Overview
Κατασκευαστής:
Qorvo
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
UF3C120150K4S-DG
Περιγραφή:
SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1200 V 18.4A (Tc) 166.7W (Tc) Through Hole TO-247-4
Αποθέμα:
482 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12954801
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
UF3C120150K4S Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Qorvo
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
18.4A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
180mOhm @ 5A, 12V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5.5V @ 10mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
25.7 nC @ 12 V
Vgs (Μέγ.)
±25V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
738 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
166.7W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-4
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-4
Βασικός αριθμός προϊόντος
UF3C120150
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
2312-UF3C120150K4S
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
ZXMP3A16GTA
MOSFET P-CH 30V 5.4A SOT223
TK090U65Z,RQ
DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
IPP60R600P7
N-CHANNEL POWER MOSFET
