UF3C120150B7S
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

UF3C120150B7S

Product Overview

Κατασκευαστής:

Qorvo

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

UF3C120150B7S-DG

Περιγραφή:

1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1200 V 17A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount D2PAK-7

Αποθέμα:

3054 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12983938
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

UF3C120150B7S Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Qorvo
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
17A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
180mOhm @ 5A, 12V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5.5V @ 10mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
25.7 nC @ 12 V
Vgs (Μέγ.)
±25V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
738 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
136W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
D2PAK-7
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
2312-UF3C120150B7SCT
2312-UF3C120150B7SDKR
2312-UF3C120150B7STR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J377R,LXHF

AECQ MOSFET PCH 20V 3.9A SOT23

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J378R,LXHF

AECQ MOSFET PCH -20V -6A SOT23F

nexperia

PMPB07R3ENX

PMPB07R3EN/SOT1220-2/DFN2020M-

panjit

PJX8856_R1_00001

MOSFET N-CH 20V SOT-563