Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
UF3C120080B7S
Product Overview
Κατασκευαστής:
Qorvo
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
UF3C120080B7S-DG
Περιγραφή:
SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1200 V 28.8A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Αποθέμα:
4979 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12983074
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
UF3C120080B7S Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Qorvo
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
28.8A (Tc)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
105mOhm @ 20A, 12V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
6V @ 10mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
23 nC @ 12 V
Vgs (Μέγ.)
±25V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
754 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
190W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
D2PAK-7
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Βασικός αριθμός προϊόντος
UF3C120080
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
2312-UF3C120080B7STR
2312-UF3C120080B7SCT
2312-UF3C120080B7SDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FQB25N33TM-F085
MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
SSM3K341R,LXHF
AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT23F
RF4L040ATTCR
PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS
