Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
TPH3208PD
Product Overview
Κατασκευαστής:
Transphorm
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
TPH3208PD-DG
Περιγραφή:
GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220AB
Αποθέμα:
13445848
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
TPH3208PD Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Transphorm
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
GaNFET (Gallium Nitride)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
20A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
130mOhm @ 13A, 8V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.6V @ 300µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
14 nC @ 8 V
Vgs (Μέγ.)
±18V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
760 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
96W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STP33N60DM2
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
3750
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STP33N60DM2-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.32
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
TPH3206LD
GANFET N-CH 600V 17A PQFN
TPH3206PSB
GANFET N-CH 650V 16A TO220AB
TPH3206LS
GANFET N-CH 600V 17A PQFN