Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
TP65H050G4YS
Product Overview
Κατασκευαστής:
Transphorm
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
TP65H050G4YS-DG
Περιγραφή:
650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 132W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Αποθέμα:
450 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13259175
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
TP65H050G4YS Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Transphorm
Συσκευασία
Tube
Σειρά
SuperGaN®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
GaNFET (Gallium Nitride)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
35A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
60mOhm @ 22A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.8V @ 700µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1000 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
132W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-4L
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-4
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
450
Άλλα ονόματα
1707-TP65H050G4YS
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
GC030N65QF
MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
GC20N65QD
MOSFET N-CH 650V 20A TO-247
GC280N65F
MOSFET N-CH 650V 15A TO-220F
