Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
TP65H035G4WS
Product Overview
Κατασκευαστής:
Transphorm
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
TP65H035G4WS-DG
Περιγραφή:
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247-3
Αποθέμα:
813 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12938528
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
TP65H035G4WS Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Transphorm
Συσκευασία
Tube
Σειρά
SuperGaN™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
46.5A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
41mOhm @ 30A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.8V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
22 nC @ 0 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
156W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
TP65H035
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
1707-TP65H035G4WS
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
MCM1567-TP
MOSFET P-CH 20V 9A DFN2020-6J
AOB160A60L
MOSFET N-CH 600V 24A TO263
RFD16N05NL
N-CHANNEL POWER MOSFET
