Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
TPN6R003NL,LQ
Product Overview
Κατασκευαστής:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
TPN6R003NL,LQ-DG
Περιγραφή:
MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 27A (Tc) 700mW (Ta), 32W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Αποθέμα:
2966 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12890565
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
bsAQ
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
TPN6R003NL,LQ Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
U-MOSVIII-H
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
27A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
6mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.3V @ 200µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1400 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
700mW (Ta), 32W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
TPN6R003
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
TPN6R003NLLQTR
TPN6R003NLLQDKR
TPN6R003NL,LQ(S
TPN6R003NLLQCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
TK8A65D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 8A TO220SIS
TK11A60D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS
TK31A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220SIS
