Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
TPH5900CNH,L1Q
Product Overview
Κατασκευαστής:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
TPH5900CNH,L1Q-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 150 V 9A (Ta) 1.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Αποθέμα:
14354 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12891302
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
VYgY
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
TPH5900CNH,L1Q Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
U-MOSVIII-H
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
150 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
59mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 200µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
600 pF @ 75 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.6W (Ta), 42W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOP Advance (5x5)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
TPH5900
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
5,000
Άλλα ονόματα
TPH5900CNHL1QTR
TPH5900CNH,L1Q(M
TPH5900CNHL1QCT
TPH5900CNHL1QDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
TK39N60W,S1VF
MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
2SK2962,T6WNLF(M
MOSFET N-CH TO92MOD
TPC8111(TE12L,Q,M)
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
