Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
TK7P65W,RQ
Product Overview
Κατασκευαστής:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
TK7P65W,RQ-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 6.8A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount DPAK
Αποθέμα:
1403 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12890784
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
ZB3N
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
TK7P65W,RQ Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
DTMOSIV
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6.8A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
800mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
490 pF @ 300 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
60W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DPAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
TK7P65
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,000
Άλλα ονόματα
TK7P65WRQTR
TK7P65W,RQ(S
TK7P65WRQDKR
TK7P65WRQCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
TK6A45DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 5.5A TO220SIS
TPC6107(TE85L,F,M)
MOSFET P-CH 20V 4.5A VS-6
TPC8092,LQ(S
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOP
