Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
TK7A60W5,S5VX
Product Overview
Κατασκευαστής:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
TK7A60W5,S5VX-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 7A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Αποθέμα:
80 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12890357
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
TK7A60W5,S5VX Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Συσκευασία
Tube
Σειρά
DTMOSIV
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
7A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
650mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 350µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
490 pF @ 300 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
30W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220SIS
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack
Βασικός αριθμός προϊόντος
TK7A60
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
TK7A60W5,S5VX(M
TK7A60W5S5VX
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
TK30A06N1,S4X
MOSFET N-CH 60V 30A TO220SIS
TK8P60W5,RVQ
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
TK9A45D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 9A TO220SIS