TK6A60W,S4VX
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

TK6A60W,S4VX

Product Overview

Κατασκευαστής:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

TK6A60W,S4VX-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220SIS
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 6.2A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS

Αποθέμα:

45 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12889556
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

TK6A60W,S4VX Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Συσκευασία
Tube
Σειρά
DTMOSIV
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6.2A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
750mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.7V @ 310µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
390 pF @ 300 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
30W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220SIS
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack
Βασικός αριθμός προϊόντος
TK6A60

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
TK6A60WS4VX
TK6A60W,S4VX(M

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPAN65R650CEXKSA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
462
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPAN65R650CEXKSA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.43
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
R6008ANX
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
R6008ANX-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.64
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
R6007KNX
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
R6007KNX-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.02
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXTP4N70X2M
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
24
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXTP4N70X2M-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.35
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STF9N60M2
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1988
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STF9N60M2-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.53
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
toshiba-semiconductor-and-storage

TK13A45D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 450V 13A TO220SIS

toshiba-semiconductor-and-storage

TJ40S04M3L(T6L1,NQ

MOSFET P-CH 40V 40A DPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

TK25N60X5,S1F

MOSFET N-CH 600V 25A TO247

toshiba-semiconductor-and-storage

TK50E10K3(S1SS-Q)

MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB