Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
TK65S04N1L,LXHQ
Product Overview
Κατασκευαστής:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
TK65S04N1L,LXHQ-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 40 V 65A (Ta) 107W (Tc) Surface Mount DPAK+
Αποθέμα:
2848 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12939666
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
GN7a
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
TK65S04N1L,LXHQ Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
U-MOSVIII-H
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
65A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 300µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2550 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
107W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
175°C
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DPAK+
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
TK65S04
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,000
Άλλα ονόματα
264-TK65S04N1LLXHQDKR
TK65S04N1L,LXHQ(O
264-TK65S04N1LLXHQTR
264-TK65S04N1LLXHQCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
TJ10S04M3L,LXHQ
MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
UPA2630T1R-E2-AX
MOSFET P-CH 12V 7A 6HUSON
NTD3055-094G
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
