Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
TK560A60Y,S4X
Product Overview
Κατασκευαστής:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
TK560A60Y,S4X-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 30W Through Hole TO-220SIS
Αποθέμα:
12891186
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
TK560A60Y,S4X Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Συσκευασία
Tube
Σειρά
DTMOSV
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
7A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
560mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 240µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
380 pF @ 300 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
30W
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220SIS
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack
Βασικός αριθμός προϊόντος
TK560A60
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
TK560A60Y,S4X(S
TK560A60YS4X(S
TK560A60YS4X
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STF10N60M2
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2606
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STF10N60M2-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.53
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
TPN3R704PL,L1Q
MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
TK750A60F,S4X
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
TK32A12N1,S4X
MOSFET N-CH 120V 32A TO220SIS
