Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
TK10A60W5,S5VX
Product Overview
Κατασκευαστής:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
TK10A60W5,S5VX-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 9.7A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Αποθέμα:
12890608
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
TK10A60W5,S5VX Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Συσκευασία
Tube
Σειρά
DTMOSIV
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9.7A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
450mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 500µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
720 pF @ 300 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
30W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220SIS
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack
Βασικός αριθμός προϊόντος
TK10A60
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
TK10A60W5S5VX
TK10A60W5,S5VX(M
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FCPF600N60Z
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Fairchild Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
171833
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FCPF600N60Z-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.20
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
TPN4R203NC,L1Q
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
TK9P65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
TPH2900ENH,L1Q
MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
