Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Product Overview
Κατασκευαστής:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
TJ50S06M3L(T6L1,NQ-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 60 V 50A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount DPAK+
Αποθέμα:
2000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12889173
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
TJ50S06M3L(T6L1,NQ Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
U-MOSVI
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
50A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
13.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
124 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
+10V, -20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
6290 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
90W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DPAK+
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
TJ50S06
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,000
Άλλα ονόματα
TJ50S06M3LT6L1NQ
264-TJ50S06M3L(T6L1NQTR
TJ50S06M3L(T6L1NQ
264-TJ50S06M3L(T6L1,NQCT
264-TJ50S06M3L(T6L1,NQDKR
264-TJ50S06M3L(T6L1,NQDKR-DG
264-TJ50S06M3L(T6L1,NQCT-DG
TJ50S06M3L(T6L1NQ-DG
264-TJ50S06M3L(T6L1NQDKR
264-TJ50S06M3L(T6L1NQCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMT6002LPS-13
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
SSM3J66MFV,L3F
MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
2SK3466(TE24L,Q)
MOSFET N-CH 500V 5A 4TFP
