Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SSM6P35AFE,LF
Product Overview
Κατασκευαστής:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SSM6P35AFE,LF-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2P-CH 20V 0.25A ES6
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 250mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount ES6
Αποθέμα:
7714 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12889217
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
ei56
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SSM6P35AFE,LF Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
U-MOSVII
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 P-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
250mA (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 100µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
-
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
42pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
150mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
SOT-563, SOT-666
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
ES6
Βασικός αριθμός προϊόντος
SSM6P35
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
4,000
Άλλα ονόματα
SSM6P35AFELFTR
SSM6P35AFE,LF(B
SSM6P35AFELFCT
SSM6P35AFELFDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SSM6N15AFU,LF
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
SSM6L09FUTE85LF
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
SSM6N815R,LF
MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
