SSM3J56ACT,L3F
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

SSM3J56ACT,L3F

Product Overview

Κατασκευαστής:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

SSM3J56ACT,L3F-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount CST3

Αποθέμα:

40754 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12889228
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

SSM3J56ACT,L3F Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
U-MOSVI
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
390mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
100 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
500mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
CST3
Συσκευασία / Θήκη
SC-101, SOT-883
Βασικός αριθμός προϊόντος
SSM3J56

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
10,000
Άλλα ονόματα
SSM3J56ACTL3FDKR
SSM3J56ACTL3FTR
SSM3J56ACTL3FCT
SSM3J56ACT,L3F(T
SSM3J56ACT,L3F(B

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K01T(TE85L,F)

MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K56MFV,L3F

MOSFET N-CH 20V 800MA VESM

toshiba-semiconductor-and-storage

TK80S06K3L(T6L1,NQ

MOSFET N-CH 60V 80A DPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

TK13E25D,S1X(S

MOSFET N-CH 250V 13A TO220-3