Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SSM3J56ACT,L3F
Product Overview
Κατασκευαστής:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SSM3J56ACT,L3F-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount CST3
Αποθέμα:
40754 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12889228
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SSM3J56ACT,L3F Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
U-MOSVI
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
390mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
100 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
500mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
CST3
Συσκευασία / Θήκη
SC-101, SOT-883
Βασικός αριθμός προϊόντος
SSM3J56
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
10,000
Άλλα ονόματα
SSM3J56ACTL3FDKR
SSM3J56ACTL3FTR
SSM3J56ACTL3FCT
SSM3J56ACT,L3F(T
SSM3J56ACT,L3F(B
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SSM3K01T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
SSM3K56MFV,L3F
MOSFET N-CH 20V 800MA VESM
TK80S06K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
