Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SSM3J112TU,LF
Product Overview
Κατασκευαστής:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SSM3J112TU,LF-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 30 V 1.1A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount UFM
Αποθέμα:
748 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12889990
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
M60I
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SSM3J112TU,LF Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
390mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.8V @ 100µA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
86 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
800mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
UFM
Συσκευασία / Θήκη
3-SMD, Flat Leads
Βασικός αριθμός προϊόντος
SSM3J112
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
264-SSM3J112TU,LFCT
SSM3J112TULF-DG
264-SSM3J112TU,LFTR
SSM3J112TULF
264-SSM3J112TU,LFDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SSM3J65CTC,L3F
MOSFET P-CH 20V 700MA CST3C
2SK2916(F)
MOSFET N-CH 500V 14A TO3PIS
SSM6J502NU,LF
MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
