Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RN4985FE,LF(CT
Product Overview
Κατασκευαστής:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RN4985FE,LF(CT-DG
Περιγραφή:
NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER
Λεπτομερής Περιγραφή:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Αποθέμα:
259 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12889099
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RN4985FE,LF(CT Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
Διπολικός (BJT), Διατάξεις Βιοπολικών Τρανζίστορ, Προεισαγωγική Πρότυπη
Κατασκευαστής
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος τρανζίστορ
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
100mA
Ανάλυση εκπομπού τάσης - συλλέκτη (μέγ.)
50V
Αντίσταση - Βάση (R1)
2.2kOhms
Αντίσταση - Βάση πομπού (R2)
47kOhms
Κέρδος ρεύματος DC (hFE) (ελάχιστο) @ IC, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce κορεσμός (μέγ.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ρεύμα - Συλλέκτης Cutoff (Μέγ.)
500nA
Συχνότητα - Μετάβαση
250MHz, 200MHz
Ισχύς - Μέγιστη
100mW
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
SOT-563, SOT-666
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
ES6
Βασικός αριθμός προϊόντος
RN4985
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
4,000
Άλλα ονόματα
RN4985FE,LF(CB
RN4985FELF(CTDKR
RN4985FELF(CTTR
RN4985FELF(CTCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DCX123JH-7
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DCX123JH-7-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.06
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RN4990(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4906FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN4987FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6