RN2708,LF
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

RN2708,LF

Product Overview

Κατασκευαστής:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

RN2708,LF-DG

Περιγραφή:

PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
Λεπτομερής Περιγραφή:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount USV

Αποθέμα:

3000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12890745
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

RN2708,LF Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
Διπολικός (BJT), Διατάξεις Βιοπολικών Τρανζίστορ, Προεισαγωγική Πρότυπη
Κατασκευαστής
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος τρανζίστορ
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
100mA
Ανάλυση εκπομπού τάσης - συλλέκτη (μέγ.)
50V
Αντίσταση - Βάση (R1)
22kOhms
Αντίσταση - Βάση πομπού (R2)
47kOhms
Κέρδος ρεύματος DC (hFE) (ελάχιστο) @ IC, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce κορεσμός (μέγ.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ρεύμα - Συλλέκτης Cutoff (Μέγ.)
500nA
Συχνότητα - Μετάβαση
200MHz
Ισχύς - Μέγιστη
200mW
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
USV
Βασικός αριθμός προϊόντος
RN2708

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
RN2708LFDKR
RN2708LFTR
RN2708LFCT
RN2708,LF(B

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2903FE(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

diodes

DDA124EH-7

TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2502(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

toshiba-semiconductor-and-storage

RN49A1(T5L,F,T)

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6