Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RN2701,LF
Product Overview
Κατασκευαστής:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RN2701,LF-DG
Περιγραφή:
PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K
Λεπτομερής Περιγραφή:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount USV
Αποθέμα:
12890619
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RN2701,LF Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
Διπολικός (BJT), Διατάξεις Βιοπολικών Τρανζίστορ, Προεισαγωγική Πρότυπη
Κατασκευαστής
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος τρανζίστορ
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
100mA
Ανάλυση εκπομπού τάσης - συλλέκτη (μέγ.)
50V
Αντίσταση - Βάση (R1)
4.7kOhms
Αντίσταση - Βάση πομπού (R2)
4.7kOhms
Κέρδος ρεύματος DC (hFE) (ελάχιστο) @ IC, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce κορεσμός (μέγ.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ρεύμα - Συλλέκτης Cutoff (Μέγ.)
500nA
Συχνότητα - Μετάβαση
200MHz
Ισχύς - Μέγιστη
200mW
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
USV
Βασικός αριθμός προϊόντος
RN2701
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
RN2701LFTR-DG
RN2701LFDKR-DG
RN2701,LF(B
RN2701LFDKR
264-RN2701,LFTR
RN2701LFTR
RN2701LFCT-DG
264-RN2701,LFCT
RN2701LFCT
264-RN2701,LFDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RN1907,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN4986FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN2505TE85LF
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
