Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RN2506(TE85L,F)
Product Overview
Κατασκευαστής:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RN2506(TE85L,F)-DG
Περιγραφή:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Λεπτομερής Περιγραφή:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SMV
Αποθέμα:
3171 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12889804
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RN2506(TE85L,F) Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
Διπολικός (BJT), Διατάξεις Βιοπολικών Τρανζίστορ, Προεισαγωγική Πρότυπη
Κατασκευαστής
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος τρανζίστορ
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
100mA
Ανάλυση εκπομπού τάσης - συλλέκτη (μέγ.)
50V
Αντίσταση - Βάση (R1)
4.7kOhms
Αντίσταση - Βάση πομπού (R2)
47kOhms
Κέρδος ρεύματος DC (hFE) (ελάχιστο) @ IC, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce κορεσμός (μέγ.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ρεύμα - Συλλέκτης Cutoff (Μέγ.)
100nA (ICBO)
Συχνότητα - Μετάβαση
200MHz
Ισχύς - Μέγιστη
300mW
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
SC-74A, SOT-753
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SMV
Βασικός αριθμός προϊόντος
RN2506
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
RN2506(TE85LF)CT
RN2506(TE85LF)TR
RN2506TE85LF
RN2506(TE85LF)DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RN4988FE,LF(CT
NPN + PNP BRT Q1BSR22KOHM Q1BER4
RN1702,LF
NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER10KOH
RN4909,LF(CT
PNP + NPN BRT Q1BSR22KOHM Q1BER4