Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RN2104MFV,L3F
Product Overview
Κατασκευαστής:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RN2104MFV,L3F-DG
Περιγραφή:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Λεπτομερής Περιγραφή:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VESM
Αποθέμα:
12890726
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
muy0
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RN2104MFV,L3F Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
Διπολικός (BJT), Μοναδιαίοι, Προ-Βαθμισμένοι Δίπολοι Τρανζίστορ
Κατασκευαστής
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος τρανζίστορ
PNP - Pre-Biased
Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
100 mA
Ανάλυση εκπομπού τάσης - συλλέκτη (μέγ.)
50 V
Αντίσταση - Βάση (R1)
47 kOhms
Αντίσταση - Βάση πομπού (R2)
47 kOhms
Κέρδος ρεύματος DC (hFE) (ελάχιστο) @ IC, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce κορεσμός (μέγ.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Ρεύμα - Συλλέκτης Cutoff (Μέγ.)
500nA
Συχνότητα - Μετάβαση
250 MHz
Ισχύς - Μέγιστη
150 mW
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
SOT-723
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
VESM
Βασικός αριθμός προϊόντος
RN2104
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
8,000
Άλλα ονόματα
RN2104MFVL3F
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RN1417,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
RN2411,LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
RN2108MFV,L3F
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM