RN1970(TE85L,F)
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

RN1970(TE85L,F)

Product Overview

Κατασκευαστής:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

RN1970(TE85L,F)-DG

Περιγραφή:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Λεπτομερής Περιγραφή:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6

Αποθέμα:

6000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12889323
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

RN1970(TE85L,F) Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
Διπολικός (BJT), Διατάξεις Βιοπολικών Τρανζίστορ, Προεισαγωγική Πρότυπη
Κατασκευαστής
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος τρανζίστορ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
100mA
Ανάλυση εκπομπού τάσης - συλλέκτη (μέγ.)
50V
Αντίσταση - Βάση (R1)
4.7kOhms
Αντίσταση - Βάση πομπού (R2)
-
Κέρδος ρεύματος DC (hFE) (ελάχιστο) @ IC, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce κορεσμός (μέγ.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ρεύμα - Συλλέκτης Cutoff (Μέγ.)
100nA (ICBO)
Συχνότητα - Μετάβαση
250MHz
Ισχύς - Μέγιστη
200mW
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
US6
Βασικός αριθμός προϊόντος
RN1970

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
RN1970(TE85LF)DKR
RN1970(TE85LF)CT
RN1970(TE85LF)TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
RoHS Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
toshiba-semiconductor-and-storage

RN4609(TE85L,F)

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1608(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2707JE(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4988(T5L,F,T)

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6