RN1909,LXHF(CT
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

RN1909,LXHF(CT

Product Overview

Κατασκευαστής:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

RN1909,LXHF(CT-DG

Περιγραφή:

AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=4
Λεπτομερής Περιγραφή:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6

Αποθέμα:

6000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12968487
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

RN1909,LXHF(CT Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
Διπολικός (BJT), Διατάξεις Βιοπολικών Τρανζίστορ, Προεισαγωγική Πρότυπη
Κατασκευαστής
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος τρανζίστορ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
100mA
Ανάλυση εκπομπού τάσης - συλλέκτη (μέγ.)
50V
Αντίσταση - Βάση (R1)
47kOhms
Αντίσταση - Βάση πομπού (R2)
22kOhms
Κέρδος ρεύματος DC (hFE) (ελάχιστο) @ IC, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce κορεσμός (μέγ.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ρεύμα - Συλλέκτης Cutoff (Μέγ.)
500nA
Συχνότητα - Μετάβαση
250MHz
Ισχύς - Μέγιστη
200mW
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
US6
Βασικός αριθμός προϊόντος
RN1909

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
264-RN1909,LXHF(CT-DG
264-RN1909,LXHF(CT
264-RN1909,LXHF(CTTR-DG
264-RN1909,LXHF(CTDKR-DG
264-RN1909LXHF(CTDKR
264-RN1909LXHF(CTTR
264-RN1909,LXHF(CTTR
264-RN1909,LXHF(CTDKR
264-RN1909LXHF(CT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

NSBC143TPDXV6T5

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

onsemi

MUN5338DW1T3G

SS SC88 DUAL BRT TRPDBN

onsemi

NSVBC123JDXV6T5G

SS SOT563 SRF MT RST XSTR

onsemi

NSBA114EDXV6T1

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR