Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RN1909,LF(CT
Product Overview
Κατασκευαστής:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RN1909,LF(CT-DG
Περιγραφή:
NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH
Λεπτομερής Περιγραφή:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
Αποθέμα:
2392 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12889367
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RN1909,LF(CT Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
Διπολικός (BJT), Διατάξεις Βιοπολικών Τρανζίστορ, Προεισαγωγική Πρότυπη
Κατασκευαστής
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος τρανζίστορ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
100mA
Ανάλυση εκπομπού τάσης - συλλέκτη (μέγ.)
50V
Αντίσταση - Βάση (R1)
47kOhms
Αντίσταση - Βάση πομπού (R2)
22kOhms
Κέρδος ρεύματος DC (hFE) (ελάχιστο) @ IC, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce κορεσμός (μέγ.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ρεύμα - Συλλέκτης Cutoff (Μέγ.)
500nA
Συχνότητα - Μετάβαση
250MHz
Ισχύς - Μέγιστη
200mW
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
US6
Βασικός αριθμός προϊόντος
RN1909
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
RN1909LF(CTTR
RN1909LF(CTCT-DG
RN1909LF(CTDKR
RN1909LF(CTCT
264-RN1909,LF(CTTR
264-RN1909,LF(CT
RN1909LF(CTDKR-DG
264-RN1909,LF(CTDKR
RN1909LF(CTTR-DG
RN1909,LF(CB
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RN2703JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN1701JE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
DDC144TU-7
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
