Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RN1710,LF
Product Overview
Κατασκευαστής:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RN1710,LF-DG
Περιγραφή:
NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF.
Λεπτομερής Περιγραφή:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount USV
Αποθέμα:
2535 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12890364
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
e5wI
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RN1710,LF Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
Διπολικός (BJT), Διατάξεις Βιοπολικών Τρανζίστορ, Προεισαγωγική Πρότυπη
Κατασκευαστής
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος τρανζίστορ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
100mA
Ανάλυση εκπομπού τάσης - συλλέκτη (μέγ.)
50V
Αντίσταση - Βάση (R1)
4.7kOhms
Αντίσταση - Βάση πομπού (R2)
-
Κέρδος ρεύματος DC (hFE) (ελάχιστο) @ IC, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce κορεσμός (μέγ.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ρεύμα - Συλλέκτης Cutoff (Μέγ.)
100nA (ICBO)
Συχνότητα - Μετάβαση
250MHz
Ισχύς - Μέγιστη
200mW
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
USV
Βασικός αριθμός προϊόντος
RN1710
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
RN1710LFDKR
RN1710LFCT
RN1710,LF(B
RN1710LFTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
UMG3NTR
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
6000
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
UMG3NTR-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.07
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RN2909(T5L,F,T)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4902FE(TE85L,F)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN1509(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV