HN4C51J(TE85L,F)
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

HN4C51J(TE85L,F)

Product Overview

Κατασκευαστής:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

HN4C51J(TE85L,F)-DG

Περιγραφή:

TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
Λεπτομερής Περιγραφή:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Common Base 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV

Αποθέμα:

6983 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12891919
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

HN4C51J(TE85L,F) Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
Διπολικός (BJT), Δίπολοι Τρανζίστορ Σειρές
Κατασκευαστής
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος τρανζίστορ
2 NPN (Dual) Common Base
Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
100mA
Ανάλυση εκπομπού τάσης - συλλέκτη (μέγ.)
120V
Vce κορεσμός (μέγ.) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Ρεύμα - Συλλέκτης Cutoff (Μέγ.)
100nA (ICBO)
Κέρδος ρεύματος DC (hFE) (ελάχιστο) @ IC, Vce
200 @ 2mA, 6V
Ισχύς - Μέγιστη
300mW
Συχνότητα - Μετάβαση
100MHz
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
SC-74A, SOT-753
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SMV
Βασικός αριθμός προϊόντος
HN4C51

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
HN4C51J (TE85LF)
HN4C51JTE85LF
HN4C51J(TE85LF)DKR
HN4C51J(TE85LF)CT
HN4C51J (TE85L,F)
HN4C51J(TE85LF)TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
RoHS Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMMT3904WQ-7-F

TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363

nexperia

BCM847BS/ZLF

TRANS 2NPN 45V 0.1A 6TSSOP

diodes

IMT4-7-F

TRANS 2PNP 120V 0.05A SOT26

diodes

DST857BDJ-7

TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT963