HN1B01FU-Y(L,F,T)
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

HN1B01FU-Y(L,F,T)

Product Overview

Κατασκευαστής:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

HN1B01FU-Y(L,F,T)-DG

Περιγραφή:

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
Λεπτομερής Περιγραφή:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 120MHz 200mW Surface Mount US6

Αποθέμα:

12891097
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
WjrD
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

HN1B01FU-Y(L,F,T) Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
Διπολικός (BJT), Δίπολοι Τρανζίστορ Σειρές
Κατασκευαστής
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος τρανζίστορ
NPN, PNP
Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
150mA
Ανάλυση εκπομπού τάσης - συλλέκτη (μέγ.)
50V
Vce κορεσμός (μέγ.) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Ρεύμα - Συλλέκτης Cutoff (Μέγ.)
100nA (ICBO)
Κέρδος ρεύματος DC (hFE) (ελάχιστο) @ IC, Vce
120 @ 2mA, 6V
Ισχύς - Μέγιστη
200mW
Συχνότητα - Μετάβαση
120MHz
Θερμοκρασία λειτουργίας
125°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
US6
Βασικός αριθμός προϊόντος
HN1B01

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
HN1B01FU-Y(LFT)DKR
HN1B01FU-Y(LFT)CT
HN1B01FU-Y(LFT)TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
RoHS Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
UMZ1NTR
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
109445
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
UMZ1NTR-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.05
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
toshiba-semiconductor-and-storage

HN1A01FE-GR,LF

TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

2SA1873-GR(TE85L,F

TRANS 2PNP 50V 0.15A USV

toshiba-semiconductor-and-storage

HN4B01JE(TE85L,F)

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN

toshiba-semiconductor-and-storage

2SC4207-GR(TE85L,F

TRANS 2NPN 50V 0.15A SMV