Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
2SK2963(TE12L,F)
Product Overview
Κατασκευαστής:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
2SK2963(TE12L,F)-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 1A PW-MINI
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PW-MINI
Αποθέμα:
12889528
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
T2Vg
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
2SK2963(TE12L,F) Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
700mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
6.3 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
140 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
500mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PW-MINI
Συσκευασία / Θήκη
TO-243AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
2SK2963
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
2SK2963DKR
2SK2963 (TE12L,F)
2SK2963FCT
2SK2963DKR-DG
2SK2963TE12LF
2SK2963(TE12L)-NDR
2SK2963FDKR
2SK2963FTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
TK20E60W,S1VX
MOSFET N-CH 600V 20A TO220
SSM3K116TU,LF
MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
SSM3K7002BS,LF
MOSFET N-CH 60V 200MA S-MINI
