Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
TPS1120D
Product Overview
Κατασκευαστής:
Texas Instruments
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
TPS1120D-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 15V 1.17A 840mW Surface Mount 8-SOIC
Αποθέμα:
12816178
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
TPS1120D Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Texas Instruments
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 P-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
15V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.17A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
180mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
5.45nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
-
Ισχύς - Μέγιστη
840mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Βασικός αριθμός προϊόντος
TPS1120
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Σελίδα προϊόντος κατασκευαστή
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
75
Άλλα ονόματα
TEXTISTPS1120D
296-1352-5
-296-1352-5
-TPS1120DG4-NDR
TPS1120DG4-DG
2156-TPS1120D
-TPS1120D-NDR
-296-1352-5-DG
-TPS1120DG4
TPS1120DG4
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRF9358PBF
MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO
IRF7757TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP
CSD83325L
MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR