Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
ONET8551TYS9
Product Overview
Κατασκευαστής:
Texas Instruments
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
ONET8551TYS9-DG
Περιγραφή:
IC TRANSIMPEDANCE 1 CIRC WAFER
Λεπτομερής Περιγραφή:
Transimpedance Amplifier 1 Circuit Wafer
Αποθέμα:
13034269
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
ONET8551TYS9 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
Ενισχυτές, Οργάνωση, Ενισχυτές Ολικής Αρμονικής, Ενισχυτές Ταξινόμησης
Κατασκευαστής
Texas Instruments
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Συσκευασία
Tube
Κατάσταση εξαρτήματος
Active
Τύπος ενισχυτή
Transimpedance
Αριθμός κυκλωμάτων
1
Τύπος εξόδου
-
Ρυθμός περιστροφής
-
-3db εύρος ζώνης
9 GHz
Ρεύμα - Τροφοδοσία
28mA
Τάση - Εύρος τροφοδοσίας (ελάχ.)
2.8 V
Τάση - Εύρος τροφοδοσίας (μέγ.)
3.63 V
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 100°C
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
Die
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
Wafer
Βασικός αριθμός προϊόντος
ONET8551
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Σελίδα προϊόντος κατασκευαστή
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
5A991B1
HTSUS
8542.33.0001
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
OPA2241UAG4
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
OPA336N/3KG4
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SOT23-5
OPA336N/3K
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SOT23-5
