LF353DR
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

LF353DR

Product Overview

Κατασκευαστής:

Texas Instruments

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

LF353DR-DG

Περιγραφή:

IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC
Λεπτομερής Περιγραφή:
J-FET Amplifier 2 Circuit 8-SOIC

Αποθέμα:

9479 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12796705
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

LF353DR Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
Ενισχυτές, Οργάνωση, Ενισχυτές Ολικής Αρμονικής, Ενισχυτές Ταξινόμησης
Κατασκευαστής
Texas Instruments
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος ενισχυτή
J-FET
Αριθμός κυκλωμάτων
2
Τύπος εξόδου
-
Ρυθμός περιστροφής
13V/µs
Προϊόν κέρδους εύρους ζώνης
3 MHz
Ρεύμα - Μεροληψία εισόδου
50 pA
Τάση - Μετατόπιση εισόδου
5 mV
Ρεύμα - Τροφοδοσία
3.6mA (x2 Channels)
Ρεύμα - Έξοδος / Κανάλι
40 mA
Τάση - Εύρος τροφοδοσίας (ελάχ.)
7 V
Τάση - Εύρος τροφοδοσίας (μέγ.)
36 V
Θερμοκρασία λειτουργίας
0°C ~ 70°C
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Βασικός αριθμός προϊόντος
LF353

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
-LF353DRG4-NDR
LF353DRG4
296-14587-2
-LF353DR-NDR
LF353DRG4-DG
296-14587-6
296-14587-1
-LF353DRG4
-LF353DRE4-NDR
-296-14587-1-DG
-LF353DRE4
-296-14587-1

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.33.0001
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
texas-instruments

LM324DR

IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC

texas-instruments

LMV712MM/NOPB

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 10VSSOP

microchip-technology

MCP6142-E/P

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8DIP

texas-instruments

INA211CIRSWR

IC CURR SENSE 1 CIRCUIT 10UQFN