Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
LF353DR
Product Overview
Κατασκευαστής:
Texas Instruments
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
LF353DR-DG
Περιγραφή:
IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC
Λεπτομερής Περιγραφή:
J-FET Amplifier 2 Circuit 8-SOIC
Αποθέμα:
9479 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12796705
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
LF353DR Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
Ενισχυτές, Οργάνωση, Ενισχυτές Ολικής Αρμονικής, Ενισχυτές Ταξινόμησης
Κατασκευαστής
Texas Instruments
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος ενισχυτή
J-FET
Αριθμός κυκλωμάτων
2
Τύπος εξόδου
-
Ρυθμός περιστροφής
13V/µs
Προϊόν κέρδους εύρους ζώνης
3 MHz
Ρεύμα - Μεροληψία εισόδου
50 pA
Τάση - Μετατόπιση εισόδου
5 mV
Ρεύμα - Τροφοδοσία
3.6mA (x2 Channels)
Ρεύμα - Έξοδος / Κανάλι
40 mA
Τάση - Εύρος τροφοδοσίας (ελάχ.)
7 V
Τάση - Εύρος τροφοδοσίας (μέγ.)
36 V
Θερμοκρασία λειτουργίας
0°C ~ 70°C
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Βασικός αριθμός προϊόντος
LF353
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
-LF353DRG4-NDR
LF353DRG4
296-14587-2
-LF353DR-NDR
LF353DRG4-DG
296-14587-6
296-14587-1
-LF353DRG4
-LF353DRE4-NDR
-296-14587-1-DG
-LF353DRE4
-296-14587-1
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.33.0001
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
LM324DR
IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC
LMV712MM/NOPB
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 10VSSOP
MCP6142-E/P
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8DIP
