Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
CSD19538Q2T
Product Overview
Κατασκευαστής:
Texas Instruments
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
CSD19538Q2T-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 13.1A (Tc) 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) Surface Mount 6-WSON (2x2)
Αποθέμα:
4287 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12789544
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
CSD19538Q2T Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Texas Instruments
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
NexFET™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
13.1A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
59mOhm @ 5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.8V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
5.6 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
454 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
6-WSON (2x2)
Συσκευασία / Θήκη
6-WDFN Exposed Pad
Βασικός αριθμός προϊόντος
CSD19538
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Σελίδα προϊόντος κατασκευαστή
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
250
Άλλα ονόματα
296-44612-1
296-44612-2
296-44612-6
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
CSD18503Q5AT
MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
CSD25310Q2
MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON
CP773-CMPDM302PH-WN
MOSFET P-CH 30V 2.4A DIE