Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
CSD19531Q5A
Product Overview
Κατασκευαστής:
Texas Instruments
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
CSD19531Q5A-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
Αποθέμα:
5285 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12795013
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
CSD19531Q5A Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Texas Instruments
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
NexFET™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
6.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3870 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.3W (Ta), 125W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-VSONP (5x6)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
CSD19531
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Σελίδα προϊόντος κατασκευαστή
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
-CSD19531Q5AINACTIVE
296-41232-2
296-41232-1
CSD19531Q5A-DG
296-41232-6
-CSD19531Q5A-NDR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
CSD13385F5
MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
CSD17501Q5A
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
CSD18509Q5BT
MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
