Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
CSD16325Q5
Product Overview
Κατασκευαστής:
Texas Instruments
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
CSD16325Q5-DG
Περιγραφή:
CSD16325Q5 25V, N CH NEXFET MOSF
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 25 V 33A (Ta), 100A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
Αποθέμα:
5572 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12996614
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
CSD16325Q5 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Texas Instruments
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
NexFET™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
25 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
33A (Ta), 100A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
3V, 8V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2mOhm @ 30A, 8V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
25 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
+10V, -8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4000 pF @ 12.5 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.1W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-VSON-CLIP (5x6)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
327
Άλλα ονόματα
2156-CSD16325Q5-296
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Vendor Undefined
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SCTWA70N120G2V-4
DISCRETE
2SJ646-TL-E
2SJ646 - P-CHANNEL SILICON MOSFE
PMK50XP,518
NEXPERIA PMK50XP - 7.9A, 20V, 0.
