Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
CSD16323Q3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Texas Instruments
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
CSD16323Q3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 25 V 21A (Ta), 60A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Αποθέμα:
34374 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12815053
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
CSD16323Q3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Texas Instruments
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
NexFET™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
25 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
21A (Ta), 60A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
3V, 8V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 24A, 8V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
8.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
+10V, -8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1300 pF @ 12.5 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
CSD16323
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Σελίδα προϊόντος κατασκευαστή
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
296-24522-6
296-24522-2-NDR
-296-24522-1-DG
296-24522-2
296-24522-1
296-24522-1-NDR
296-24522-6-NDR
-296-24522-1-NDR
2156-CSD16323Q3
TEXTISCSD16323Q3
-CSD16323Q3-NDR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRF7703TR
MOSFET P-CH 40V 6A 8TSSOP
IRF3205ZPBF
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
CSD18532KCS
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
