CSD13202Q2
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

CSD13202Q2

Product Overview

Κατασκευαστής:

Texas Instruments

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

CSD13202Q2-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 12 V 22A (Ta) 2.7W (Ta) Surface Mount 6-WSON (2x2)

Αποθέμα:

11096 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12789609
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

CSD13202Q2 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Texas Instruments
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
NexFET™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
12 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
22A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
9.3mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
6.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
997 pF @ 6 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.7W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
6-WSON (2x2)
Συσκευασία / Θήκη
6-WDFN Exposed Pad
Βασικός αριθμός προϊόντος
CSD13202

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων
Σελίδα προϊόντος κατασκευαστή

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
-CSD13202Q2-NDR
296-38911-1
296-38911-2
CSD13202Q2-DG
-296-38911-1-DG
296-38911-6

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
central-semiconductor

CXDM4060P TR PBFREE

MOSFET P-CH 40V 6A SOT-89

central-semiconductor

CXDM1002N TR PBFREE

MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89

central-semiconductor

CDM7-650 TR13 PBFREE

MOSFET N-CH 650V 7A DPAK

central-semiconductor

CXDM4060N TR PBFREE

MOSFET N-CH 40V 6A SOT-89