NLV32T-181J-PF
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NLV32T-181J-PF

Product Overview

Κατασκευαστής:

TDK Corporation

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NLV32T-181J-PF-DG

Περιγραφή:

FIXED IND 180UH 60MA 17 OHM SMD
Λεπτομερής Περιγραφή:
180 µH Unshielded Drum Core, Wirewound Inductor 60 mA 17Ohm Max 1210 (3225 Metric)

Αποθέμα:

12607 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
6653410
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NLV32T-181J-PF Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
Πηνία, Σπείρες, Χόκες, Σταθερές Ινδούκτες
Κατασκευαστής
TDK
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
NLV-PF
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Δακτυλογραφώ
Drum Core, Wirewound
Υλικό - Πυρήνας
Ferrite
Επαγωγή
180 µH
Ανεκτικότητα
±5%
Τρέχουσα βαθμολογία (Amps)
60 mA
Ρεύμα - Κορεσμός (Isat)
-
Θωράκιση
Unshielded
Αντίσταση DC (DCR)
17Ohm Max
Q @ Freq
20 @ 796kHz
Συχνότητα - Αυτοσυντονισμός
7MHz
Ακροαματικότητα
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 105°C
Συχνότητα επαγωγής - Δοκιμή
796 kHz
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
1210 (3225 Metric)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
1210
Μέγεθος / Διάσταση
0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Ύψος - Καθήμενοι (Μέγ.)
0.094" (2.40mm)

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,000
Άλλα ονόματα
445-174220-1
445-174220-2
NLV32T-181J-PF-DG
445-174220-6
-NLV32T-181J

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8504.50.8000

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NLV32T-181J-EF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
TDK Corporation
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
15075
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NLV32T-181J-EF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.07
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
tdk

MHQ0603P1N1ST000

FIXED IND 1.1NH 1A 70 MOHM SMD

tdk

MLG0402Q3N1ST000

FIXED IND 3.1NH 200MA 900MOHM SM

tdk

MLG1005S0N5BTD25

FIXED IND 0.5NH 1A 100 MOHM SMD

tdk

MHQ1005P4N3ST

FIXED IND 4.3NH 800MA 100MOHM SM