Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
STU7N80K5
Product Overview
Κατασκευαστής:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
STU7N80K5-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Αποθέμα:
2699 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12876839
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
STU7N80K5 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
STMicroelectronics
Συσκευασία
Tube
Σειρά
SuperMESH5™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
800 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 3A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 100µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
13.4 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
360 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
110W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-251 (IPAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
STU7N80
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
75
Άλλα ονόματα
497-13656-5
-497-13656-5
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
STL42N65M5
MOSFET N-CH 650V 4A PWRFLAT HV
STW6N90K5
MOSFET N-CH 900V 6A TO247
STT4PF20V
MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6
