Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
STU16N60M2
Product Overview
Κατασκευαστής:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
STU16N60M2-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 12A IPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Αποθέμα:
12877319
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
STU16N60M2 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
STMicroelectronics
Συσκευασία
-
Σειρά
MDmesh™ M2
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
12A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
320mOhm @ 6A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±25V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
700 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
110W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-251 (IPAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
STU16N
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
75
Άλλα ονόματα
497-16025-5
-497-16025-5
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STW42N60M2-EP
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
480
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STW42N60M2-EP-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
4.16
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
STE26NA90
MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP
STD6N60DM2
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
STP16NF06FP
MOSFET N-CH 60V 11A TO220FP
